2014年05月21日

单根硅纳米线光电化学!

  虽然研究人员对线阵列进行了大量的研究,但是,阵列中形貌的均匀性、、缺陷以及催化剂负载等因素所起的作用和相互联系并不清晰,而阵列整体的平均性能并不能代表单根线的光电化学性能。

  有鉴于此,杨培东教授课题组报道了一种基于单根硅纳米线的光电极平台,能够可靠地检测单根硅纳米线的I-V特性。

  单根硅纳米线光电极用于PEC(光电化学)测试的示意图研究人员发现,单根纳米线的性能好坏,将影响整个阵列的光电压输出性能,因此,提高阵列中单根纳米线的均匀性非常重要。另外,他们还发现,光生电子的通量可以定量地作为单根纳米线长度和直径的函数。单根纳米线/s)相比平面结构上的通量(1200电子/nm2/s)大大减少。

  在半导体/电解液界面,光生载流子的这些通量特性对于设计和所负载催化剂活性相匹配的纳米线光电极具有十分重要的意义。

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